Là độ dẫn nhiệt của sapphire Bo mạch kém, ảnh hưởng đến hiệu quả chiếu sáng LED. Để giải quyết vấn đề của LED làm mát, tương lai có thể là cấu trúc chính của cấu trúc theo chiều dọc của các đèn LED, đèn LED công nghiệp để thúc đẩy sự phát triển của công nghệ. Về cấu trúc theo chiều dọc của công nghệ LED tin rằng chúng tôi đã nghe nói, sau chỉ từ bề mặt kỹ thuật của việc giới thiệu, để tham khảo.
Chúng ta biết rằng chip LED có hai cấu trúc cơ bản, các bên cấu trúc (bên) và dọc cấu trúc (dọc). Hai điện cực của cấu trúc bên trong LED chip là trên cùng một bên của LED chip, và dòng chảy hiện tại trong lớp giam kiểu n và p theo hướng ngang. Hai điện cực của chip LED của cấu trúc theo chiều dọc được sử dụng như là các điện cực thứ hai trên cả hai mặt của LED trải lớp, vì vậy mà hầu như tất cả các dòng chảy theo chiều dọc qua lớp trải LED do điện cực khuôn mẫu và tất cả các kiểu p co lớp nfinement, hiện tại, có thể cải thiện cấu trúc máy bay của vấn đề phân phối hiện tại, nâng cao hiệu quả chiếu sáng, nhưng cũng có thể giải quyết vấn đề bóng cực P, tăng cường ánh sáng LED phát ra khu vực.
Chúng tôi lần đầu tiên hiểu cấu trúc theo chiều dọc của LED công nghệ sản xuất và phương pháp cơ bản:
Sản xuất theo chiều dọc cơ cấu công nghệ chip LED có ba phương pháp chính:
Đầu tiên, sử dụng cacbua silic bề mặt tăng trưởng GaN phim, lợi thế là các hoạt động hiện tại điều kiện tương tự, suy giảm ánh sáng, cuộc sống lâu dài, việc thiếu các chất nền silicon sẽ hấp thụ ánh sáng.
Thứ hai, việc sử dụng các chip liên kết và tước công nghệ sản xuất. Ưu điểm là sự suy giảm ánh sáng, cuộc sống lâu dài, thiếu sự cần thiết để đối phó với các bề mặt đèn LED để cải thiện hiệu quả chiếu sáng.
Ba là việc sử dụng các chất không đồng nhất như silic bề mặt tăng trưởng Gali nitrua LED trải lớp, các lợi thế cho tản nhiệt tốt, dễ dàng chế biến.
Có hai cách cơ bản để đặt ra một cấu trúc dọc chip LED: bong tróc bề mặt lớn và không tước bề mặt lớn. Cấu trúc theo chiều dọc của chip LED dựa trên khoảng cách phát triển trên bề mặt tăng trưởng gallium arsenide có hai cấu trúc:
Phòng không tước conductive gallium arsenide tăng trưởng chất nền: ký quỹ lớp phản xạ DBR dẫn điện vào một bề mặt tăng trưởng conductive gallium arsenide, phát triển một lớp trải LED dựa trên khoảng cách trên một lớp màng DBR dẫn điện.
Tước gallium arsenide tăng trưởng chất nền: nhiều lớp lớp phản xạ trên lớp trải GaP dựa trên LED, liên kết hỗ trợ dẫn bề mặt, tước gallium arsenide bề mặt. Chất nền dẫn hỗ trợ bao gồm một chất nền gallium arsenide, một chất nền phosphide Gali, một chất nền silicon, một kim loại, hợp kim, và muốn.
Ngoài ra, các đèn LED trên GaN dọc phát triển Silicon có hai cấu trúc:
Không lột vỏ ra khỏi chất nền silicon tăng trưởng: lớp màng kim loại hoặc các lớp phản xạ DBR conductive nhiều lớp trên bề mặt tăng trưởng dẫn silicon và Gali nitrua dựa trên LED trải lớp được trồng trên lớp màng kim loại hoặc các conductive DBR lớp phản xạ.
Lột vỏ ra khỏi chất nền silicon tăng trưởng:Nhiều lớp lớp kim loại phản xạ trên Gali dựa trên nitrua dẫn trải lớp, bề mặt phản chiếu dẫn liên kết với các lớp kim loại phản xạ để vỏ chất nền silicon tăng trưởng.
Và sau đó là một mô tả đơn giản về sản xuất đứng Gali nitrua dựa trên quá trình LED: ngoại quan nhiều lớp lớp phản xạ trong Gali nitrua dựa trên LED trải lớp, lớp màng dẫn điện hỗ trợ bề mặt, tước sapphire tăng trưởng bề mặt. Chất nền dẫn hỗ trợ bao gồm một kim loại và một bề mặt hợp kim, một chất nền silicon và như thế.
Cho dù đó là khoảng cách dựa trên LED, LED dựa trên GaN hoặc dựa trên ZnO LED dọc thông qua các loại của các cấu trúc theo chiều dọc của LED, so sánh với cấu trúc truyền thống của LED có một lợi thế lớn hơn, hiệu suất cụ thể:
1. Thiện tại ông, tất cả các cấu trúc thẳng đứng sẵn có màu đèn LED: đỏ đèn LED, màu xanh lá cây đèn LED, màu xanh LED và UV LED, có thể được thực hiện thông qua các cấu trúc theo chiều dọc của lỗ LED có một ứng dụng tuyệt vời của thị trường.
2. ALL trình sản xuất là ở mức độ chip (wafer).
3. Because có là không cần để chơi vàng dòng với nguồn điện bên ngoài kết nối để sử dụng theo chiều dọc qua cấu trúc thẳng đứng của chip LED gói độ dày giảm. Do đó, nó có thể được sử dụng để sản xuất các thiết bị siêu mỏng như backlighting.
Sản phẩm nổi bật:Đèn LED hồ sơ,2700-6500K CCT màu sắc thay đổi đèn,100W điện cao bay,tuyến tính mặt dây đèn,130lm/W tuyến tính ánh sáng,LED ánh sáng văn phòng lắp,Đèn LED trang trí chiếu sáng thanh
